展締科技(原名: 歐菲科技)股份有限公司_PlanarTECH 石墨烯及其他2D材料 CVD製程設備
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planar TECH LLC

公司簡介

planarTECH 為一提供石墨烯、氮化硼及二硫化鉬等2D材料先進製程設備及分析工具的專業廠商,同時亦可提供其他奈米材料的製程設備。
自從2004年石墨烯被發現並確立其獨特的特性,planarTECH 即與許多世界知名合成石墨烯及其他2D材料的研究領導者一起合作開發,以提供與此世界級研究單位所使用相同等級的製程設備。

產品

石墨烯 CVD 製程設備

I.          PlanarGROW  石墨烯CVD製程設備

         planarGROW 系列的石墨烯熱化學氣相沉積(thermal CVD)製程設備,經細微修改亦可做為奈米碳管生成設備,為一熱壁式水平反應器。我們提供三種標準款設備,即planarGROW-2B, planarGROW-4S以及planarGROW-6E ,基本規格如以下圖表所示。然而我們亦可依客戶實際應用需求提供客製化產品。

                                                                *如需詳細規格請與我們聯絡


         planargrow-4S 軟體介面

         planarGROW 產品線其中一個重要特色乃是全功能的圖形使用者介面(GUI),此乃採用美商國家儀器公司的LabVIEW 平台所設計。此圖形使用者介面提供所有系統參數的全功能控制,得以讓使用者輸入並儲存自訂的製程參數,同時可實現單鍵式的簡易操作即可自動完成所有製程。以下圖示即為此介面螢幕擷取圖像,其中的高溫爐管及turbopump 為選配。

                                                       Fully Automated PC Control with LabVIEW Front End

                                                                            User-configurable Auto Process Settings


石墨烯以及奈米碳管合成之參考文獻                                                                                   

擁有超過15年奈米碳管及石墨烯合成的使用經驗,planarGROW 產品線已被廣泛使用於相關研究,其研究成果並被發表於許多著名的學術期刊。部分期刊內容請點選 References參閱,此外亦歡迎點選”Installations”頁面可觀看最近於客戶處裝機的照片                                                                                         

                                             



其他 2D材料CVD 製程設備

II.          PlanarGROW  h-BN CVD 設備

         planarGROW 系列的氮化硼(h-BN )熱化學氣相沉積(thermal CVD)製程設備,為一熱壁式水平反應器。我們提供標準2吋爐管系統 (planarGROW-2S-BN),詳細規格如下所示。然而我們亦可依客戶實際應用需求提供客製化產品。h-BN可經由液態環硼氮烷 (liquid borazine) 或固態硼烷氨 (solid ammonia borane),而我們的系統可同時支援此兩種先驅物 (precursor)。此外,我們亦可提供氮化硼(h-BN )及石墨烯(grapheme)雙製程系統



PlanarGROW-2S-BN 產品規格

Quartz Tube & Furnace

Tube Dimensions: 2” (ф50*1000mm)

Heater: Kanthal Wire w/ Glass Wool Molding

- Maximum Temperature: 1,100°C

Heating Zone: 1-zone, ф100*350mm

Linear Motion Control Unit


Gas Supply Unit

Four (4) Celerity TN2900 Mass Flow Controllers

   * Hydrogen (H2), 100sccm

   * Methane (CH4), 200sccm [For Graphene]

   * Argon (Ar): 1,000sccm

   * Nitrogen (N2): 1,000sccm 

- Source Vapor Feeding System w/ Heating Jacket

- Low Temp. Chiller (-10°C) for Borazine Canister

如需詳細規格請與我們聯絡


氮化硼合成參考文獻

因著對於單層石墨烯的確切的了解,許多研究者已著手研究其他2D材料的的合成,如氮化硼 (BN)。如同石墨烯合成設備,planarTECH於此新的研究領域亦有相當實績。planarGROW-2S-BN 機型的功能基本上是以首爾DongGuk大學Ki Kang Kim教授的設計為基礎。以下是四篇Ki Kang Kim教授於最近所發表的論文,而其氮化硼(BN)的合成基本上是採用planarGROW (或類似)的設備所製成


參考文獻 (Growth on Copper)

1. (2013-02-15) Kim, S.M., et al. “Synthesis of Patched or Stacked Graphene and hBN Flakes: A Route to Hybrid Structure Discovery,” Nano Lett., 201313 (3), pp 933–94 | DOI:10.1021/nl303760m


2. (2012-09-12) Kim, K.K., et al. “Synthesis and Characterization of Hexagonal Boron Nitride Film as a Dielectric Layer for Graphene Devices,” ACS Nano, 2012, 6 (10), pp 8583–8590 | DOI:10.1021/nn301675f


3. (2011-11-23) Kim, K.K., et al. “Synthesis of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Cu Foil Using Chemical Vapor Deposition,” Nano Lett., 201212 (1), pp 161–166 | DOI:10.1021/nl203249


    參考文獻 (Growth on Nickel)

   1.  (2011-09-02) Shi, Y.M., “Synthesis of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride Thin Film by Chemical           Vapor Deposition,” Nano Lett., 2010, 10 (10), pp 4134–4139 | DOI:10.1021/nl1023707


III.          PlanarGROW  MoS2 CVD 設備

 planarGROW系列的二硫化鉬(MoS2)熱化學氣相沉積(thermal CVD)製程設備,為一熱壁式水平反應器。與石墨烯不同的是,二硫化鉬(MoS2)的合成是以固態材料如硫以及氧化鉬(MoO3)粉末為原料,而且可以直接沉積在目標基材上,如二氧化矽(SiO2)。我們提供標準的2吋爐管系統(planarGROW-2S-MoS2),詳細規格如下所示。然而我們亦可依客戶實際應用需求提供客製化產品 

 


PlanarGROW-2S-MoS2產品規格

Quartz Tube & Furnace

Quartz Tube Dimensions: ф50(OD)*1000mm

Heating Element: Kanthal Wire, Glass Wool Molding

Maximum Temp: 1,000°C, K-type Thermocouple

Heating Zone: 2-zones, ф50*300mm Each

Alumina Tray + Wafer Tray for 10x10mm2 Samples


Gas Supply Unit

One (1) Celerity TN2900 Mass Flow Controller

     *  Argon (Ar): 1,000sccm

Open Mounting Bay for Second (2nd) MFC


如需詳細規格請與我們聯絡


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